TSMC هي واحدة من اللاعبين الرئيسيين في إنتاج الرقائق. تعد عملية الإنتاج الخاصة بالشركة المصنعة التايوانية واحدة من أكثر عمليات الإنتاج تقدمًا في العالم. وفقًا للبيانات المتاحة ، بدأت TSMC الإنتاج التجريبي للعملية الفنية 3 نانومتر. ويذكر أيضًا أن الإنتاج الضخم لهذه الشريحة سيبدأ في الربع الأخير من العام المقبل.
خلال مكالمة ربع سنوية حديثة ، قال الرئيس التنفيذي لشركة TSMC وي زيجيا إن إنتاج اختبار عملية 3 نانومتر سيبدأ في عام 2021 والإنتاج الضخم في النصف الثاني من عام 2022.
إذا كانت المعلومات التي كشف عنها خبراء شبكة الصناعة صحيحة ، فقد يكشف Wei Zhejia عن مزيد من التفاصيل حول هذه الشريحة في مؤتمر عبر الهاتف للمحللين الماليين في يناير المقبل. في تقرير أرباح وخسائر الربع الثاني الذي نُشر في يوليو من هذا العام ، قال Wei Zhejia أنه في الربع الثالث ، فإن عملية 4nm قيد الإنتاج التجريبي.
صرحت TSMC على موقعها الرسمي أن عملية 3 نانومتر هي النطاق الكامل لعقد العملية بعد 5 نانومتر. بالنسبة للدوائر الدقيقة ذات العملية التكنولوجية 3 نانومتر ، ستزداد الكثافة النظرية للترانزستورات بنسبة 70 ٪ مقارنة بـ 5 نانومتر. بالإضافة إلى ذلك ، ستزيد سرعة التشغيل بنسبة 15٪ وكفاءة الطاقة بنسبة 30٪.
Samsung - المنافس الرئيسي لشركة TSMC في مجال إنتاج الرقائق الدقيقة. قدمت الشركة الكورية الجنوبية عقدتي 3GAE (3nm Gate-All-Around Early) و 3GAP (3nm Gate-All-Around Plus) قبل بضع سنوات. تعد هذه العمليات بتوفير كبير للطاقة وزيادة الإنتاجية الإجمالية. من خلال تقديم هذه التقنية ، تدعي الشركة أن عملية 3 نانومتر ستوفر زيادة بنسبة 35 ٪ في الأداء. كما ستوفر انخفاضًا بنسبة 50٪ في استهلاك الطاقة مقارنةً بعملية 7LPP.
وفقا للتقارير الأخيرة ، Samsung سيبدأ الإنتاج التجريبي لعملية 3 نانومتر في موعد لا يتجاوز عام 2022. تخطط الشركة أيضًا لإصدار شرائح بحجم 2 نانومتر ، ولكن ليس قبل عام 2025. يرتبط تأجيل إدخال العملية التكنولوجية الجديدة بحقيقة أن مصنعي الدوائر الدقيقة يواجهون مهمة أكثر أهمية - للتعامل مع نقصهم. الأولويات هي تلبية الطلب على المعالجات ، وليس التعجيل بإدخال تقنيات جديدة.
اقرأ أيضا:
- Sony وتناقش TSMC شراكة لتصنيع الرقائق في اليابان
- سترتفع أسعار الهواتف الذكية - ترفع شركة TSMC رسوم الرقائق