لا يتوقف مصنعو المعالجات أبدًا عن البحث والتطوير الأساسي والتطبيقي ، لذا فقد أصبحت شركة Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) حددت جدولًا زمنيًا لعملية التصنيع N2 (فئة 2 نانومتر) لدخول التصنيع متعدد الأحجام (HVM) في عام 2025 ، حان الوقت لكي تفكر الشركة في عمليتها التالية. إذا تم تصديق شائعات جديدة ، فإن TSMC ستعلن رسميًا عن تقنية 1,4 نانومتر في يونيو.
وبالتالي ، تخطط TSMC لنقل الفريق الذي طور عقدة N3 (فئة 3 نانومتر) إلى تطوير عملية تصنيع فئة 1,4 نانومتر في يونيو ، وفقًا لـ Business Korea. كقاعدة عامة ، لم تعلن المسابك وصانعو الرقائق رسميًا عن معالمها ، لذلك من غير المرجح أن نرى بيانًا صحفيًا من TSMC يقول إن التطوير قد بدأ في شريحة 1,4 نانومتر. وفي الوقت نفسه ، من المقرر أن تعقد TSMC ندوتها التكنولوجية في منتصف يونيو ، وهناك قد تكشف الشركة عن بعض التفاصيل المختصرة حول العقدة التي ستحل محل عملية تصنيع N2.
تتضمن عملية التصميم التكنولوجي القياسي مراحل إيجاد السبل والبحث والتطوير. يتضمن Pathfinding أشياء مثل البحث الأساسي حول المواد والفيزياء ، وفي كثير من الحالات يتم إجراؤه في وقت واحد على العديد من الرقائق. في الوقت الحالي ، من المحتمل أن يكون اكتشاف المسار 2nm لـ TSMC قد انتهى ، لذلك تعمل المجموعات ذات الصلة المتخصصة في الفيزياء والكيمياء الأساسية على خليفة لـ 2nm ، والتي يمكن أن تسمى 1,4nm أو 14 angstroms.
يعتمد TSMC's 2nm على ترانزستورات تأثير حقل البوابة (GAAFETs) ولكنها ستستخدم الطباعة الحجرية فوق البنفسجية القصوى (EUV) مع فتحة عددية تبلغ 0,33 (0,33 NA). بالنظر إلى تفاصيل TSMC 2nm التي نعرفها اليوم ، من المحتمل أن خليفتها سيحتفظ بترانزستورات GAA ، لكن يبقى أن نرى ما إذا كان سيتحول إلى أدوات EUV بفتحة عددية 0,55.
يمكنك مساعدة أوكرانيا في محاربة الغزاة الروس. أفضل طريقة للقيام بذلك هي التبرع بالأموال للقوات المسلحة لأوكرانيا من خلال الحفاظ على الحياة او من خلال الصفحة الرسمية NBU.
اقرأ أيضا:
- Samsung سوف يطور معالجًا جديدًا لرائد Galaxy
- أعلنت شركة IBM عن خطط لإنشاء معالج كمي بسعة 4000 كيلوبت