 наступного покоління для високопродуктивних обчислень і зокрема для сфери ШІ.){kind=link}
أعلنت شركة SK hynix أنها طورت ذاكرة HBM3E ، وهي ذاكرة وصول عشوائي من الجيل التالي عالية السرعة (DRAM) للحوسبة عالية الأداء وخاصة في مجال الذكاء الاصطناعي. هذه الذاكرة ، وفقًا للشركة ، هي الأكثر إنتاجية في العالم ويتم فحصها واختبارها حاليًا بواسطة عملاء SK hynix.
HBM (ذاكرة النطاق الترددي العالي) هي ذاكرة عالية السرعة ، وهي عبارة عن كومة من عدة شرائح DRAM متصلة رأسياً ، مما يوفر زيادة كبيرة في سرعة معالجة البيانات مقارنة بشرائح DRAM التقليدية. HBM3E هو نسخة محسّنة من الجيل الخامس من ذاكرة HBM3 ، والتي حلت محل الأجيال السابقة: HBM و HBM2 و HBM2E و HBM3.
تؤكد SK hynix أن التطوير الناجح لـ HBM3E أصبح ممكنًا بفضل خبرة الشركة باعتبارها المنتج الضخم الوحيد لـ HBM3. من المقرر أن يبدأ الإنتاج الضخم لـ HBM3E في النصف الأول من العام المقبل ، مما سيعزز مكانة الشركة الرائدة في سوق ذاكرة الذكاء الاصطناعي.
وفقًا لـ SK hynix ، لا يفي المنتج الجديد فقط بأعلى معايير الصناعة للسرعة ، وهي معلمة ذاكرة رئيسية لمهام الذكاء الاصطناعي ، ولكن أيضًا في الفئات الأخرى ، بما في ذلك السعة وتبديد الحرارة وسهولة الاستخدام. يستطيع HBM3E معالجة البيانات بسرعات تصل إلى 1,15 تيرابايت / ثانية ، وهو ما يعادل نقل أكثر من 230 فيلمًا كامل الطول بدقة عالية تبلغ 5 جيجابايت لكل ثانية.
بالإضافة إلى ذلك ، يتمتع HBM3E بتبديد حراري محسّن بنسبة 10٪ بسبب استخدام التكنولوجيا المتقدمة المتقدمة بتقنية إعادة التدفق المقولب (MR-MUF2). توفر الذاكرة الجديدة أيضًا توافقًا مع الإصدارات السابقة ، مما سيسمح لك باستخدامها في مسرعات موجودة تم إنشاؤها ضمن HBM3.
"لقد عملنا مع SK hynix لفترة طويلة في مجال الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي لحلول الحوسبة السريعة المتقدمة. وقال إيان باك، نائب رئيس الحوسبة فائقة الأداء وعالية الأداء في شركة HBM3E: "إننا نتطلع إلى مواصلة تعاوننا مع HBMXNUMXE لبناء الجيل القادم من حوسبة الذكاء الاصطناعي". NVIDIA.
أكد Sungsoo Ryu ، رئيس تخطيط منتجات DRAM في SK hynix ، أن الشركة عززت مكانتها في السوق من خلال إضافة خط إنتاج HBM ، الذي يسلط الضوء عليه في ضوء تطور تقنية الذكاء الاصطناعي.
اقرأ أيضا: