Samsung الإلكترونيات تعتزم إطلاق 1 تيرابايت من ذاكرة DDR5 في وحدة واحدة بفضل التقدم في تصنيع DRAM.
شركة كورية جنوبية المتقدمة أول ذاكرة وصول عشوائي DDR32 سعة 5 جيجابت (GB) في صناعة الذاكرة بأعلى سعة، باستخدام عملية 12 نانومتر. بفضل هذا Samsung ستكون قادرة على إنتاج وحدات ذاكرة DDR5 بسعة 1 تيرابايت، ولكن هناك فائدة أخرى للانتقال إلى ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) بسعة 32 جيجابايت. بالمقارنة مع وحدات ذاكرة الوصول العشوائي DDR5 DRAM الحالية بسعة 16 جيجابايت والتي تم تصنيعها باستخدام عملية 12 نانومتر، سيتم تقليل استهلاك الطاقة لوحدات 128 جيجابايت بنسبة 10%.
وفقًا لسانغ جون هوان، نائب رئيس منتجات وتقنيات DRAM في Samsung الإلكترونيات، سيكون المستهلكون الرئيسيون لهذه الذاكرة في البداية هم مراكز البيانات والذكاء الاصطناعي والبيانات الضخمة: "بفضل 32 جيجابايت من ذاكرة DRAM من فئة 12 نانومتر، حصلنا على حل يسمح بإنشاء وحدات DRAM ذات حجم يصل إلى 1 تيرابايت، مما سيسمح لنا بأن نكون في وضع مثالي لتلبية الحاجة المتزايدة لذاكرة الوصول العشوائي عالية السعة في عصر الذكاء الاصطناعي (الذكاء الاصطناعي) والبيانات الضخمة... سنواصل تطوير حلول DRAM باستخدام عمليات تصنيع مختلفة و تقنيات التصميم لدفع حدود تكنولوجيا الذاكرة.
المزيد من الذاكرة في مساحة أقل مع استهلاك أقل للطاقة سيكون دائمًا أمرًا شائعًا لدى مشغلي مراكز البيانات. ومع ذلك، يجب أن تنتقل تقنية الذاكرة هذه في النهاية إلى وحدات DDR5 المستخدمة في أجهزة الكمبيوتر المكتبية وأجهزة الكمبيوتر المحمولة لدينا. حاليًا، يبدو أن مجموعات الذاكرة التي تبلغ سعتها 192 جيجابايت والمكونة من أربع وحدات هي أعلى مستوى بالنسبة للمستهلكين.
اقرأ أيضا: