Samsung أعلنت اليوم عن بدء الإنتاج الضخم لما يُعتقد أنه ذاكرة NAND ثلاثية الأبعاد من 236 طبقة ، والتي تطلقها الشركة على الجيل الثامن من V-NAND. تتمتع الرقائق الجديدة بمعدل نقل بيانات يبلغ 8 ميجابت / ثانية ، وبالاقتران مع وحدة تحكم محسّنة ، فإنها تتيح إنشاء محركات أقراص صلبة من فئة العميل بمعدل نقل بيانات يزيد عن 2400 جيجابت / ثانية.
تبلغ سعة جهاز V-NAND من الجيل الثامن الجديد 8 تيرابايت (1 جيجابايت) Samsung تدعي أعلى كثافة بتات في الصناعة دون الكشف عن حجم الرقاقة أو الكثافة الفعلية. تحتوي الشريحة أيضًا على معدل نقل بيانات يبلغ 2400 ميجابت في الثانية ، وهو أمر حيوي لأفضل محركات أقراص الحالة الصلبة PCIe 5.0 x4 ، والتي عند إقرانها بوحدة التحكم المناسبة توفر سرعات نقل بيانات فائقة السرعة تصل إلى 12,4 جيجابت في الثانية (أو أكثر!).
Samsung تدعي أن الجيل الجديد من ذاكرة NAND ثلاثية الأبعاد ستوفر أداءً أعلى بنسبة 3٪ لكل رقاقة مقارنةً بواجهات الفلاش الحالية بنفس السعة ، مما سيقلل من تكاليف الشركة (بافتراض نفس الأداء) ، مما يعني انخفاض الأسعار لمحركات الأقراص ذات الحالة الصلبة.
وفي الوقت نفسه ، لا تقول الشركة أي شيء عن بنية الجهاز ، ولكن بناءً على الصورة المقدمة ، يمكننا أن نفترض أنها شريحة NAND ثلاثية الأبعاد من مستويين.
"نظرًا لأن طلب السوق على محركات أقراص التخزين عالية السعة والأكثف ، يؤدي إلى زيادة عدد طبقات V-NAND ، Samsung طبقت تقنية القياس ثلاثية الأبعاد المتقدمة لتقليل مساحة السطح والارتفاع مع تجنب التداخل من خلية إلى خلية الذي يحدث عادةً عند تقليص حجمها ، كما قال سونغهوي هور ، نائب الرئيس التنفيذي Samsung إلكترونيات على ذاكرة فلاش والتقنيات. "سيساعد الجيل الثامن من V-NAND في تلبية طلب السوق المتنامي بسرعة ووضعنا بشكل أفضل لتقديم منتجات وحلول أكثر تمايزًا من شأنها أن تدعم ابتكارات التخزين المستقبلية."
Samsung لم تعلن عن أي منتجات فعلية تستند إلى ذاكرة V-NAND من الجيل الثامن ، ولكن يمكننا أن نفترض أن الأجهزة الأولى ستركز على تطبيقات العميل.
يمكنك مساعدة أوكرانيا في محاربة الغزاة الروس. أفضل طريقة للقيام بذلك هي التبرع بالأموال للقوات المسلحة لأوكرانيا من خلال الحفاظ على الحياة او من خلال الصفحة الرسمية NBU.
اقرأ أيضا: