 для обчислень в оперативній пам'яті.){kind=link}
شركة Samsung أعلنت أنها كانت الأولى في العالم التي تعرض تقنية MRAM (ذاكرة الوصول العشوائية المقاومة للمغناطيسية) للحوسبة في الذاكرة. نُشرت ورقة الشركة بعنوان "Cross-Array Magnetoresistive Devices for In-Memory Computing" في مجلة Nature.
عادةً ما يتم تخزين البيانات في ذاكرة DRAM عالية السرعة الخاصة بالمعالج. ومع ذلك ، فإن MRAM تغير الموقف وتدمج تخزين البيانات والحساب ، مما يسمح لكليهما بالحدوث على نفس الشريحة. من الناحية النظرية ، يتم تنفيذ العمليات في هذه الحالة بشكل أسرع ، حيث لا توجد حاجة لنقل البيانات من ذاكرة المعالج والعكس صحيح. بالإضافة إلى ذلك ، يتم تحقيق توفير كبير في الكهرباء ، حيث تتم معالجة البيانات في الذاكرة بطريقة متوازية للغاية.
يعد هذا العرض بمثابة اختراق لأنه ، في حين تم بالفعل عرض حلول أخرى للحوسبة في الذاكرة مثل PRAM و RRAM ، كان من الصعب جدًا تحقيق MRAM ، ويرجع ذلك أساسًا إلى مقاومتها المنخفضة. كان من المستحيل أيضًا استغلال ميزة كفاءة الطاقة في MRAM في بنية حوسبة قياسية داخل الذاكرة.
شركة Samsung جعل MRAM ممكنًا باستخدام شريحة مصفوفة MRAM مملوكة للملكية تستخدم مجموع المقاومة بدلاً من المجموع الحالي القياسي لحل مشكلة المقاومة.
تم اختبار الحل باستخدام تطبيقات الذكاء الاصطناعي (AI) وأظهر دقة 98٪ في تصنيف الأرقام المكتوبة بخط اليد و 93٪ دقة في الكشف عن الوجوه في الصور. Samsung يدعي أن تقنية MRAM يمكن استخدامها لمعالجة الذكاء الاصطناعي ولإنشاء رقائق AI عالية الأداء.
قال الدكتور Seunchul Jung ، المؤلف الأول للورقة البحثية: "الحساب في الذاكرة يشبه الدماغ بمعنى أنه في الدماغ ، تحدث العمليات الحسابية أيضًا في شبكات الذاكرة البيولوجية ، أو نقاط الاشتباك العصبي - النقاط التي تلمس فيها الخلايا العصبية بعضها البعض. في الواقع ، على الرغم من أن الحساب الذي تقوم به شبكة MRAM الخاصة بنا له غرض مختلف عن الحساب الذي يقوم به الدماغ في الوقت الحالي ، يمكن استخدام شبكة ذاكرة الحالة الصلبة هذه في المستقبل كمنصة لمحاكاة الدماغ عن طريق محاكاة اتصال المشابك الدماغية.
اقرأ أيضا: