شركة تقنية ميكرون عن بدء تسليم أول ذاكرة فلاش في العالم تتكون من 176 طبقة 3D NAND. وفقًا للشركة المصنعة ، فإن استخدام الهندسة المعمارية المتقدمة جعل من الممكن تحقيق "اختراق جذري" ، مما أدى إلى زيادة كبيرة ليس فقط في كثافة التخزين ، ولكن أيضًا الأداء. ستعثر الذاكرة الجديدة على تطبيقات في التخزين لمراكز البيانات والأجهزة الطرفية الذكية والأجهزة المحمولة.
الحداثة هي الجيل الخامس من 3D NAND وفي الجيل الثاني من بنية RG (بوابة الاستبدال) ، كونها الأكثر تقدمًا من الناحية التكنولوجية بين التطورات المتاحة في السوق. مقارنةً بالجيل السابق من تقنية 3D NAND التي تنتجها شركة Micron ، تم تقليل التأخيرات في القراءة والكتابة بأكثر من 35٪. ميزة أخرى هي التصميم المضغوط - قالب الذاكرة المكون من 176 طبقة أصغر بنسبة 30٪ تقريبًا من العروض المنافسة الأفضل في فئتها ، مما يجعل الذاكرة الجديدة مثالية للتطبيقات التي يكون فيها عامل الشكل الصغير مهمًا.
يتميز الجيل الخامس من تقنية 3D NAND من Micron أيضًا بمعدل نقل بيانات رائد في الصناعة يبلغ 1600 مليون عملية نقل في الثانية (MT / s) عبر ناقل Open NAND Flash Interface (ONFI) ، وهو أسرع بنسبة 33٪ من 1200 مليون ميجا نقلة / ثانية التي حققتها 96 طبقة و 128 طبقة ذكريات NAND Micron ثلاثية الأبعاد للأجيال السابقة.
تعمل شركة Micron مع ممثلي الصناعة لتسريع اعتماد الذاكرة الجديدة. يتم إنتاج ذاكرة NAND ثلاثية الأبعاد ثلاثية الأبعاد المكونة من 176 طبقة من Micron في سلسلة في مصنع Micron في سنغافورة وهي متاحة الآن للعملاء ، بما في ذلك من خلال خط Crucial لمحركات الأقراص الصلبة الاستهلاكية. ستقدم الشركة منتجات جديدة إضافية تعتمد على هذه التكنولوجيا خلال العام التقويمي 3.
اقرأ أيضا: